宽带单刀双掷氮化镓功率开关芯片
作者：戴剑 马伟宾
单位：中国电子科技集团公司第十三研究所
文章设计了一款基于氮化镓HEMT工艺的单片射频单刀双掷开关芯片（SPDT switch）。采用宽带匹配结构,实现了超宽带开关特性,覆盖频率DC-18 GHz,并且在工作带宽内优化了开关耐功率能力。装配后的S参数测试结果显示,在DC-18 GHz内插入损耗最大值在18 GHz频点处,为1.5 dB。连续波耐功率测试表明芯片的输入P0.1dB为40 dBm,具有较高的耐功率能力。芯片尺寸仅为1.6×1.2 mm2。
DOI：
10.19850/j.cnki.2096-4706.2021.07.011
关键词：
Array
所属期刊栏目：
电子工程
分类号：
TN386
页码：
41-43